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温度冲击试验简介 热冲击试验(Thermal Shock Testing)常被称作温度冲击试验(Temperature Shock Testing)或者温度循环(Temperature Cycling)、高低温冷热冲击试验。温度冲击按照GJB 150.5A-2009 3.1的说法,是装备周围大气温度的急剧变化,温度变化率大于10度/min,即为温度冲击。 温度冲击...查看详情>>
上面3种试验,1、2以空气作为介质,第3种以液体(水或其它液体)作为介质。1、2的转换时间较长,3的转换时间较短。
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检测项:温度变化试验 检测样品:电工电子产品与军用设备 标准:GJB 150.5-1986《军用设备环境试验方法 温度冲击试验》
检测项:高低温循环冲击试验 检测样品:电子元器件 标准:GJB548B-2005 《微电子器件试验方法和程序》方法1010.1温度循环
检测项:温度变化试验 检测样品:电工电子产品与军用设备 标准:GJB 150.5-1986《军用设备环境试验方法 温度冲击试验》
机构所在地:江苏省连云港市
机构所在地:北京市
检测项:部分参数 检测样品:红外人体表面温度快速筛检仪 标准:红外人体表面温度快速筛检仪GB/T 19146-2010
检测项:部分参数 检测样品:红外人体表面温度快速筛检仪 标准:红外人体表面温度快速筛检仪GB/T 19146-2010
检测项:浪涌(冲击)抗扰度 检测样品:工业、科学和医疗(ISM)射频设备 标准:电磁兼容 试验和测量技术 浪涌(冲击)抗扰度试验GB/T 17626.5-2008 IEC 61000-4-5:2005
机构所在地:湖北省武汉市
检测项:温度冲击 检测样品:电子元器件(气候试验) 标准:1.GJB360B-2009电子及电气元件试验方法,方法107 2.GJB150.5A-2009军用设备实验室环境试验方法第5部分
检测项:温度循环 检测样品:电子元器件(气候试验) 标准:1.GJB548B-2005微电子器件试验方法和程序,方法1010.1 2.GJB128A-1997半导体分立器件试验方法,方法1051
检测项:稳态湿热 检测样品:电子元器件(气候试验) 标准:1.GJB360B-2009电子及电气元件试验方法,方法103 2.GB/T2423.3-2006电工电子产品环境试验,第2部分 试验Cab
机构所在地:北京市
机构所在地:江苏省无锡市
检测项:温度变化 检测样品:电工电子产品 标准:GJB150.5A-2009 军用装备实验室环境试验方法 第5部分:温度冲击试验
检测项:温度变化 检测样品:电工电子产品 标准:GJB150.5-1986 军用设备环境试验方法 温度冲击试验
检测项:温度变化 检测样品:电工电子产品 标准:GJB150.5A-2009 军用装备实验室环境试验方法 第5部分:温度冲击试验
机构所在地:湖北省宜昌市